Résumé
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Avec
l’explosion du trafic de données mobiles, des débits
supérieurs au Gb/s deviennent nécessaires pour
l’utilisateur. Ainsi, le réseau de communication est en cour
d’amélioration afin de promouvoir le déploiement de la
5G, notamment grâce au développement et à
l’installation de systèmes sans fil d’onde millimétrique
ou mmWave à 10 Gb/s. Néanmoins, pour délivrer de
tels
débits, les liens fronthaul/backhaul sans fil connectés
au coeur de réseau devront supporter des flux de données
supérieurs à 40 Gb/s. Cet enjeu suscite un
intérêt croissant pour les fréquences sub-mmW et
THz (0.1 THz – 1 THz) autour desquelles des bandes passantes (BPs) de
100 GHz sont accessibles. Il serait en effet possible d’atteindre un
débit de 100 Gb/s, tout en utilisant des formats de modulation
simples et ainsi réduire la consommation d’énergie du
système. Visant le marché de masse des applications
haut-débits, la technologie Photonique sur Silicium est
particulièrement attractive pour générer des BPs
naturellement larges et pour sa capacité à forts niveaux
d’intégration et faible cout de fabrication. Dans cette
thèse, une technologie Photonique sur Silicium industrielle a
donc été évaluée durant le
développement d’un émetteur intégré THz
fonctionnant sur la base d’une photodiode et pouvant délivrer
100 Gb/s. Le développement d’une antenne THz faible cout et
compacte est également un aspect majeur de cette thèse
afin de permettre la transmission point-à-point du signal THz.
En effet, une antenne intégrée sur substrat organique
faible cout et à faibles pertes et une lentille fabriquée
par impression 3D ont été développées afin
d’évaluer ces technologies de prototypage industriel
au-delà de 200 GHz.
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