Titre
de la thèse : Fiabilité
et caractérisation électrique sur composants
dédiés et sur véhicules de tests de
mémoires
non-volatiles embarquées pour les noeuds technologiques 40 nm et
28nm
Directeur
de thèse : Pascal
Masson
Financement
: Convention Cifre STM Rousset
Domaine d'activité :
Mise à jour prochaine
Publications :
Conférences
internationales :
D.
Morillon,
P. Masson, F. Julien, P. Lorenzini, J. Goy,
C. Pribat, O. Gourhant, T. Kempf, J.-L. Ogier, A. Villaret, G. Ghezzi,
N.
Cherault & S. Niel, “Gate Oxide Degradation Assessment by
Electrical Stress
and Capacitance Measurements,” International
Integrated Reliability Workshop, Fallen Leaf Lake, CA, USA, 2018.
T.
Kempf, M. Mantelli, F. Maugain, A. Regnier, J.-M. Portal, P. Masson,
J.-M. Moragues, M. Hesse, V. Della Marca, F. Julien & S. Niel,
“Impact of
CMOS post nitridation annealing on reliability of 40nm 512kB embedded
Flash
array”, International Integrated
Reliability Workshop, Fallen Leaf Lake, USA, 2017.
D.
Morillon, C. Pribat, F. Julien, N. Cherault, J. Goy, O. Gourhant,
J.-L. Ogier, P. Masson, G. Ghezzi, T. Kempf, J. Delalleau, A. Villaret,
J.-C.
Grenier & S. Niel, “Study of HTO-based alternative gate oxides for
high
voltage transistors on advanced eNVM technology”,
International Integrated Reliability Workshop, Fallen Leaf Lake,
USA, 2017.
Conférences
nationales :
T.
Kempf, L. Baron, A. Regnier, C. Vincent & L. Beauvisage, “40nm
embedded
flash memory cell fail localization for physical analysis in 512kB
testchip”, JNRDM, Strasbourg, France, 2017.
