Titre
de la thèse : Contribution
à la modélisation RF de diode Schottky
intégrée en Technologie BiCMOS 55 nm et visant des
applications sub-THz
Directeur
de thèse : Cyril Luxey
- Guillaume
Ducournau (IEMN)
Financement
: Convention Cifre STM
Crolles et collaboration avec le laboratoire IEMN
Domaine d'activité :
Technologie
BiCMOS 55nm & 130nm et SOIFEM 130nm, Diodes Schottky,
Mélangeurs
SHM, Electroniques RF & Hyperfréquences
Publications :
Conférences
internationales :
V.
Gidel,
F. Gianesello, P. Chevalier,
G. Avenier, N. Guitard, C. Luxey & G. Ducournau, “Smart
Way to Adjust Schottky Barrier Height in 130nm BiCMOS Process for
sub-THz Applications”,
SiRF, San Antonio, USA,
2019.
V. Gidel,
F. Gianesello, P. Chevalier,
G. Avenier, N. Guitard, C. Luxey & G. Ducournau, “Scalable
Analytical Model
of 1.7THz Cut-off Frequency Schottky Diodes Integrated in 55nm BiCMOS
Technology”, RFIC, Boston, USA, 2019,
Best
Student Paper, IEEE MTT-S French
Chapter..
Conférences
nationales :
V.
Gidel, F. Gianesello, P.
Chevalier, G. Avenier, N. Guitard, C. Luxey & G.
Ducournau, “Diode
Schottky en technologie BiCMOS 55nm visant les applications THz”, JNM, Caen, Best Student Paper, 2019.
