Titre
de la thèse : Optimisation
des dispositifs de commutation RFSOI pour technologies Haute
Performance - Optimisation des procédés de fabrication et
étude des mécanismes physiques impliqués
Directeur
de thèse : Pascal
Masson
Financement
: Convention Cifre STM Rousset
Domaine d'activité :
Switch RF,
Transitors FDSOI, mesures électriques BF et RF, Fabrication de
composants semi-conducteur
Publications :
Conférences internationales
:
L. Antunes, P. Masson,
J. Amouroux, J. Dura, J. Babic,
B. Richard, L. Vedovini, F. Julien, A. Regnier, A. Fleury & S.
Monfray,
"Notched gate and Graded Gate Oxide processing for reduced capacitance
application in RF MOSFETs", ECS
PRIME (Pacific RIm Meeting on electrochemical and solid state science),
Honolulu, USA, 2024.
L. Antunes, P. Devoge,
P. Masson, J. Amouroux, J.
Dura, C. Rivero & F. Julien, "MOSFET electron mobility enhancement
using source/drain recess", DTTIS, Aix-en-Provence,
France, 2024.
L.
Antunes, P. Masson, J. Amouroux, S. Monfray, J. Dura, F. Gianesello, J.
Babic, R. Debroucke, L. Welter, S. Dhar, B. Gros, C. Charbuillet, F.
Julien, G. Bertrand, A. Reignier & A. Fleury, “Notched
gate MOSFET for capacitance reduction in RF SOI tehcnology”, DTTIS,
Gammarth, Tunisia, 2023.
